一個以提高在反射光顯微鏡反差有效的方法是利用暗場照明。 在反射的暗場顯微鏡，不透明封閉盤被放置在光通過垂直照明器行進的路徑，使得僅光的周邊光線到達偏轉鏡。 這些光線被反射鏡反射，并穿過環(huán)繞物鏡在高度傾斜角度照亮試樣的中空套環(huán)。
與垂直照明器的剖繪制的典型的反射光顯微鏡在圖1中所示的照明器是水平取向，90度，在顯微鏡并平行于臺面的光軸，與連接到燈殼背面照明的。 粗微調旋鈕提高或降低在或大或小的增量階段分別對樣品清晰聚焦。檢體的頂表面是在面向物鏡，這已被旋轉到顯微鏡的光軸的階段直立。
許多現(xiàn)代的反射光照明被描述為“通用”照明，因為，與幾個額外的配件和很少或沒有拆解，所述顯微鏡能夠容易地從反射光中的一個模式切換到另一個。 它甚至可以滑動反射出來的路徑的共以便執(zhí)行透射光觀察。 這樣的通用發(fā)光器可以包括部分反射面的玻璃表面（有時被稱為半反射鏡），用于明，和/或與用于暗場觀察用橢圓形的，位于中央的清晰開口*鍍銀反射面。
這些反射裝置（裝在反射鏡塊或立方體）中的每一個以45度角朝向光沿垂直照明和，同時行進傾斜，以45度角的顯微鏡的光軸。 二者的相應反射鏡的在朝向試樣90度向下引導光并且還允許向上行進的反射光通過到觀看管和目鏡觀察。 合理設計的垂直照明包括聚光透鏡來收集和控制光，孔徑光圈和預聚焦，定心場光闌，以允許期望的科勒照明。 固定到垂直照明的后端是包含燈泡，通常是一個高性能的鹵鎢燈一個燈箱。 對于非常微弱的暗場樣品，燈箱可以用含有水銀刻錄機所替代。 燃燒器燈可以由內置于顯微鏡支架，或（在簡單的模型）由外部變壓器的裝置的電子設備供電。
內的垂直照明，光通過一個50或100瓦的低電壓高強度的鹵燈鎢 - 發(fā)出的穿過聚光透鏡，然后通過在暗視場反射鏡塊的開放口撞擊不透明停止之前光圈和視場光闌位于所述物鏡上方的照明器的前方。 不透明止動塊的光束只允許光的中空圓柱體通入鏡塊，如下面的圖2中所示的中心部分。 外地和孔徑光闌被打開以避免從源阻擋光的外圍光線的大的位置。
光進入反射鏡塊由位于塊內的管內的一個特殊的反射鏡反射。 這個反射鏡以45度角的入射光束取向，并且具有由一*鍍銀前表面反射鏡圍繞的橢圓形的開口。 從該橢圓反射鏡反射的光的周邊光線被向下偏轉，在垂直照明的底部排出。 光的圓筒，然后通過管口通入稱為Neo ， BF/ DF，或BD的物鏡（圖3）專門構建的物鏡，根據(jù)制造商的前行進。 這些物鏡通常設計有必要為對缺少蓋玻片標本使用光學校正。
從暗視場鏡擋光向下行進圍繞專門建造BD的位于中心的透鏡元件360度中空室反射光的物鏡，如在圖3示出該光在從斜光線每個方位檢體定向，以形成由位于物鏡的中空室的底部的圓形反射鏡或棱鏡裝置照明的中空錐體。 在這種方式下，物鏡作為兩個獨立的光學系統(tǒng)耦合同軸使得外系統(tǒng)的功能作為暗視場“聚光鏡”和內系統(tǒng)作為一個典型的物鏡。
今天，暗視野的反射光顯微鏡物鏡是無限遠校正，并在放大倍數(shù)從5倍到200倍的廣譜可用。 這些物鏡還制造的色差和球面校正的各種素質，從簡單的消色差透鏡到平場消色差和平場復消色差透鏡。 大多數(shù)，但不是所有的，被設計為在物鏡和試樣之間的空間中使用的“干”的空氣。 一些反射光的物鏡是設計集中在從檢體比通常較長的工作距離。 這些標記被標在物鏡桶上，如LWD（長工作距離），ULWD（超長工作距離）和ELWD（超長的工作距離）。
物鏡設計的變化取決于生產商，但在聚光鏡部分可具有三個經典設計之一。 反射的反射物鏡具有定位在物鏡的鼻子單一的玻璃透鏡元件和依靠反射從筒的內表面，以將光聚焦到樣品。 另一個重要的物鏡的設計是屈光度結構，其中一個系列的棱鏡被策略性地放置在空心外部腔室，并用于瞄準和聚焦光朝向試樣。
在圖3所示的物鏡是一個反射折射系統(tǒng)，它使用兩個反射和折射光學元件和表面形成有必要，以查看在暗場模式的試樣照明的傾斜中空錐體。 進入物鏡的中空周邊光的汽缸遇到光引導到物鏡鏡筒的鏡像內表面的曲面透鏡元件。 光從桶直接通過玻璃元件反射，然后從外物鏡筒的鏡像內表面反射，折射通過第二透鏡元件，以形成照明的中空錐體之前。 光衍射和由檢體折射然后能夠進入物鏡的前透鏡。
周圍在反射光的物鏡透鏡元件的中空軸環(huán)的必要性需要物鏡的直徑比普通明物鏡顯著更大。 在大多數(shù)情況下，一個鼻形件安裝螺紋直徑大于顯微學會（RMS）的標準放大在反射光中的物鏡被使用。 這要求反射光暗場物鏡有一個較大的螺紋尺寸，其通常被稱為BD或BF / DF螺紋尺寸的鼻形件。 大多數(shù)制造商提供標準的轉換RMS螺紋尺寸物鏡轉盤架到BD螺紋尺寸物鏡適配器，使反射光顯微鏡的使用這些物鏡。 應注意，以確保對BD螺紋物鏡轉盤架用于物鏡將符合顯微鏡的管長度。
表1列出了一個典型的一系列設計用于反射光顯微術使用無限遠校正理學平場消色差t明/暗場物鏡的規(guī)格。數(shù)值孔徑在這個系列中，這是本設計的“干”的物鏡，實際限制達到約0.90的限制。
Neo D 平場消色差物鏡（無限遠校正）
| 放大倍數(shù) | 數(shù)值孔徑 | 工作距離 （mm） |
|---|---|---|
| 5X | 0.10 | 11.20 |
| 10X | 0.25 | 6.00 |
| 20X | 0.40 | 1.00 |
| 50X | 0.75 | 0.34 |
| 80X（干） | 0.90 | 0.18 |
| 100X（干） | 0.90 | 0.30 |
| 150X（干） | 0.90 | 0.27 |
表格1
在許多現(xiàn)代顯微鏡手段，理學類型的物鏡，用適當?shù)哪K或配件，可用于暗視場，明場，偏振光，Nomarski差分式干涉對比（DIC），以及反射光的熒光觀測。
試件幾何約束往往需要專門的物鏡，正確的圖像標本的各個領域。 表2包含了設計，在更長的工作距離要使用反射光線暗場的物鏡，而且在非常高的放大倍率產生的標本*的顯微照片復消色差透鏡的物鏡規(guī)格。
長工作距離
和復消色差透鏡暗場物鏡
（無限遠校正）
| 放大倍數(shù) | 數(shù)值孔徑 | 工作距離 （mm） |
|---|---|---|
| 20X（ELWD） | 0.40 | 11.0 |
| 50X（ELWD） | 0.55 | 8.2 |
| 100X（ELWD） | 0.80 | 2.0 |
| 100X（APO） | 0.90 | 0.40 |
| 150x（APO） | 0.90 | 0.29 |
| 200X（APO） | 0.90 | 0.30 |
表2
而不在載物臺上的檢體，視在暗場的場反射因為斜光線落在外面的接受角和未命中重新進入物鏡光學顯微鏡顯現(xiàn)黑色。 當一個試樣放置在臺上，試樣的功能，包括表面不規(guī)則性，如晶界，脊，劃痕，凹陷或顆粒等，現(xiàn)在在黑色背景明亮的。 對比度是巨大與表面樣品的特性的結果增加了，否則幾乎看不到在明，很容易辨別。事實上，許多冶金及相關樣品不需要蝕刻或其他籌備程序，以產生較好的暗場圖像。 色彩還原也用壯觀的照明這種方法。 通過標本細節(jié)，這往往是在明照明遮蔽的散射光，能夠在暗場照明進軍的物鏡和通過物鏡的中央鏡頭元件終到達眼睛或相機。
在圖4所示的顯微照片表示明場和暗場的對比反映使用BD-型物鏡的MIPS R10000微處理器集成電路上的表面特征的光圖像。 在芯片管芯的邊緣接合線是在顯微照片非常明顯的。 計算機芯片的表面涂覆有氮化硅的鈍化層，以保護電元件暴露于大氣中。 反射的光，并通過該層折射是負責在顯微照片的部分的表觀顏色。
在圖4（a）該明圖像顯示，入射光不會從接合線，其出現(xiàn)在顯微照片非常暗反映。 芯片設計師，這在光刻制造過程中被納入到芯片表面的縮寫，同時出現(xiàn)在顯微照片的右側中部。 這些縮寫，用接合線沿反映斜光返回到物鏡，如在暗場顯微照片示于圖4（b）中。 這兩個照明的方法可以成功地用于集成電路表面檢查中彼此互補。
圖5中的顯微照片用來進一步說明當與標本下暗視野照明的檢查結合不同的照明技術可以如何相互補充。 檢體是嵌入在該構成中的高場強的低溫超導磁體使用柔性導線的銅/青銅基體鈮 - 錫超導長絲的束。 在圖5（a）該顯微照片是在光照下采取并示出了由一個非常暗區(qū)，并且是由鉭藍色阻擋層包圍的長絲的束。 在圖5（a）該暗區(qū)是從線束的結構的熱處理工序殘留錫的層。 超導絲和鉭阻擋不可見如圖5（b），這是在圖5中成像的同一區(qū)域的一個暗場顯微照片（a）中。 但是，剩余的錫層反射光進入物鏡表現(xiàn)為周圍的細絲明亮的金屬樂隊。 圖5（c）是反射的微分干涉對比同一視場的顯微照片。 周圍的各個絲束的青銅基體是很明顯的，但殘留錫和鉭的阻擋層是難以辨別。 此一系列顯微照片的用來說明明，暗場和微分干涉對比的技術如何可以用來相互補充，并提供檢體的更*調查。
以下部分回顧在反射（入射）暗視野照明的顯微鏡的配置和取向的步驟。
反射（附件）暗場配置
選擇具有良好的反射特性的樣本并將其放在顯微鏡載物臺。 使用10倍的物鏡，調整為鏡反射光柯勒照明。 驗證暗場（NEO，BF / DF，或BD）物鏡插入物鏡轉換器，并準備使用。
打開孔徑和視場光闌到大位置。 使用暗場模式的顯微鏡后，這些隔膜應該總是被返回到它們的正常明的位置，以避免與其他照明技術標本對比度顯著損失。
將暗場站到光路實現(xiàn)暗場照明。 在大多數(shù)現(xiàn)代顯微鏡，這是通過使用一個滑桿，重視該暗視場反射鏡塊組件來完成的。 通常有幾種鎖扣標志著滑塊（對應于明，暗場和熒光鏡塊）的位置，而這些往往在顯微鏡本體的外部。
查看樣品，現(xiàn)在應該是在暗場照明可見。 如果由樣本發(fā)出的光很微弱，提高燈電壓，以增加照明強度。 還要檢查，以確?，F(xiàn)場和孔徑光闌打開到寬設置。 完成實驗暗場之后返回所有顯微鏡設置到明模式。
現(xiàn)代反映配有暗場照明配件創(chuàng)新提供了范圍廣泛的光學顯微鏡。 其中有拍到直立時產生的非反轉的字母圖像能力（半導體技術尤其重要）。 檢體的其它關鍵特征也定位在正確的方向中使用直立圖像技術的顯微照片。大多數(shù)制造商在移動到無限遠校正光學系統(tǒng)有助于消除重影和散光常常通過使用半反射鏡的產生，尤其是當組分加入到光路。
通過提供新的無限遠校正明/暗場的物鏡奧林巴斯 ， 尼康 ， 蔡司 ， 徠卡和提供的視圖增加有效場和大范圍的增強光學性能的工作距離，特別是當連接到超廣視場目鏡。 先進的新型照明系統(tǒng)提供鹵鎢燈和高能汞或氙氣光源之間快速和容易轉換為微弱的暗場標本提供合適的照明。 此外，一些反射光顯微鏡具有提供了內置變焦倍率以輔助對焦，使中間（雖然是空的）的放大倍率內部的光學元件。
先進的反射光顯微鏡本體的設計也可用于多格式顯微攝影非常方便。 從總理廠家工業(yè)顯微鏡能夠同時安裝35毫米，大幅面（4“×5”），和數(shù)碼相機顯微鏡對顯微攝影變化較大。 這些先進的系統(tǒng)還提供了壓印一微米級，晶粒尺度，曝光信息，和/或其它注釋直接在顯微照片旁邊的膠片幀數(shù)字配件。
反射光顯微鏡現(xiàn)代進步的半導體產業(yè)，材料科學和爆炸性增長熒光顯微鏡用于醫(yī)療診斷和細胞科學在很大程度上推動。 暗場照明的揭示輪廓，邊緣，邊界，劃痕，針孔和折射率梯度的能力提供補充其他形式的顯微鏡，包括明視野，微分干涉對比，霍夫曼調制對比，和偏振光技術的裝置。 當連接在一起，這些對比增強技術往往導致對所研究的樣本具體細節(jié)新的見解。
